NMOS(增強(qiáng)型 N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)SGT分裂柵溝槽型: 通過電極結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,通過屏蔽柵進(jìn)一步提高開關(guān)效率,實(shí)現(xiàn)更低的Rds(on)x片面積和顯著降低柵漏電容;
適合中等耐壓高頻應(yīng)用。
典型應(yīng)用場(chǎng)景:中壓電源管理;PFC、快充、服務(wù)器電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高效DC-DC。
NMOS(增強(qiáng)型 N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)Trench 溝槽型:制造成本低、工藝成熟;具備極致的低壓性能,在低壓(<100V)場(chǎng)合有較低Rds(on)。
典型應(yīng)用場(chǎng)景:消費(fèi)電子、低端電機(jī)驅(qū)動(dòng)、低壓DC-DC。
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